宏微科技等公布“SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法”专利

天眼查APP显示，近日，上海宏微爱赛半导体有限公司,江苏宏微科技股份有限公司申请的“SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法”专利公布。 摘要显示，本发明属于SiC沟槽栅MOSFET器件技术领域，具体涉及一种SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法。本发明的SiC沟槽栅MOSFET器件，结合了主流的双沟槽和半包沟槽结构的关键特征。P+?屏蔽区采用了源极沟槽底部和侧壁注入的方式，与双沟槽结构一致。同时，栅极沟槽的植入有别于双沟槽结构，通过二次刻蚀将栅极浅沟槽嵌套在源极沟槽之上，实现了栅极沟槽的半包结构，有效加强了对栅极沟槽的保护。由于两个源极沟槽之间，并没有放置一个完整的栅极沟槽，元胞尺寸可以缩小到?2?微米以下，比现有技术的双沟槽结构更小。